2N7002DWH6327XTSA1
Número de pieza:
2N7002DWH6327XTSA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
- Potencia - Máx 500mW
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 20pF @ 25V
- Paquete / Carcasa 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-SOT363-PO
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 300mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.6nC @ 10V