7N65L
Número de pieza:
7N65L
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
UMW
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 7A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 48W (Tc)
- Vgs (Máx.) ±30V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252 (DPAK)