A1F25M12W2-F1
Número de pieza:
A1F25M12W2-F1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 50A
- Configuración 4 N-Channel
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.9V @ 5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 147nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3500pF @ 800V
- Proveedor Dispositivo Paquete ACEPACK 1