A2U8M12W3-FC
Número de pieza:
A2U8M12W3-FC
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET 4N-CH 750V/1.2KV 180A
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa Module
- Potencia - Máx -
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Configuración 4 N-Channel (Three Level Inverter)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 750V, 1.2kV
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 180A, 140A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 8mOhm @ 100A, 18V, 12.5mOhm @ 100A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.2V @ 2mA, 4V @ 2mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 288nC @ 18V, 304nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7660pF @ 400V, 7370pF @ 800V