A3G26H350W17SR3

A3G26H350W17SR3

Número de pieza: A3G26H350W17SR3
Clasificación de productos: FETs de RF, MOSFETs
Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: RF MOSFET GAN 48V NI780
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Corriente nominal (amperios) -
  • Configuración -
  • Cifra de Ruido -
  • Voltaje - Clasificado 125 V
  • Corriente - Prueba 250 mA
  • Ganancia 13.3dB
  • Voltaje - Prueba 48 V
  • Potencia - Salida 59W
  • Tecnología GaN
  • Frecuencia 2.496GHz ~ 2.69GHz
  • Paquete / Carcasa NI-780S-4S2S
  • Proveedor Dispositivo Paquete NI-780S-4S2S