A5G18H610W19NR3
Número de pieza:
A5G18H610W19NR3
Clasificación de productos:
FETs de RF, MOSFETs
Fabricante:
NXP USA Inc.
Descripción:
A5G18H610W19NR3
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Grado -
- Calificación -
- Corriente nominal (amperios) -
- Configuración -
- Cifra de Ruido -
- Ganancia 16.6dB
- Voltaje - Clasificado 125 V
- Corriente - Prueba 300 mA
- Frecuencia 1.805GHz ~ 1.88GHz
- Potencia - Salida 85W
- Voltaje - Prueba 48 V
- Tecnología GaN
- Paquete / Carcasa OM-780-4S4S
- Proveedor Dispositivo Paquete OM-780-4S4S