A5G35H120NT2
Número de pieza:
A5G35H120NT2
Clasificación de productos:
FETs de RF, MOSFETs
Fabricante:
NXP USA Inc.
Descripción:
RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Corriente nominal (amperios) -
- Configuración -
- Cifra de Ruido -
- Voltaje - Clasificado 125 V
- Potencia - Salida 18W
- Ganancia 14.1dB
- Corriente - Prueba 70 mA
- Voltaje - Prueba 48 V
- Frecuencia 3.3GHz ~ 3.7GHz
- Tecnología GaN
- Paquete / Carcasa 10-PowerLDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 10-DFN (7x10)