AC3M0032120D
Número de pieza:
AC3M0032120D
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
APSEMI
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 1200V 64A TO247-
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 288W (Tc)
- Vgs (Máx.) +19V, -8V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 11.5mA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 64A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 45mOhm @ 40A, 15V