AC3M0065100K
Número de pieza:
AC3M0065100K
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
APSEMI
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 1000V 33A TO247-
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1000 V
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 33A
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 5mA
- Vgs (Máx.) +19V, -8V
- Disipación de Potencia (Máx.) 115W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 80mOhm @ 20A, 15V