AC3M0120065K
Número de pieza:
AC3M0120065K
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
APSEMI
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 650V 23A TO247-4
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Disipación de Potencia (Máx.) 97W (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Vgs (Máx.) +19V, -8V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 23A
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 1.86mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 160mOhm @ 6.76A, 15V