AC3M0160120D

AC3M0160120D

Número de pieza: AC3M0160120D
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: APSEMI
Descripción: SIC MOSFET N-CH 1200V 18A TO247-
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • Grado -
  • Calificación -
  • Paquete / Carcasa TO-247-3
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 98W (Tc)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 18A
  • Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs (Máx.) +19V, -8V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.8V @ 2.33mA
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 210mOhm @ 8.5A, 15V