AC3M0280090D
Número de pieza:
AC3M0280090D
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
APSEMI
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 900 V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11A
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (Máx.) +19V, -8V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 15V
- Disipación de Potencia (Máx.) 47W
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.7V @ 1.2mA