AG096FPD3HRBTL
Número de pieza:
AG096FPD3HRBTL
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
NCH 100V 59A, TO-252 (DPAK), POW
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 59A (Tc)
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-252
- Disipación de Potencia (Máx.) 76W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17.3 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1110 pF @ 50 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 15.8mOhm @ 59A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 2.9mA