AIMDQ75R027M1HXUMA1
Número de pieza:
AIMDQ75R027M1HXUMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
AIMDQ75R027M1HXUMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 273W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 20V
- Vgs (Máx.) +23V, -5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 750 V
- Paquete / Carcasa 22-PowerBSOP Module
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 64A (Tj)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 49 nC @ 18 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HDSOP-22
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 25mOhm @ 24.5A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.6V @ 8.8mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1668 pF @ 500 V