ALD1110EPAL
Número de pieza:
ALD1110EPAL
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Advanced Linear Devices Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 10V 8PDIP
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Paquete / Carcasa 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PDIP
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Temperatura de Operación 0°C ~ 70°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
- Potencia - Máx 600mW
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2.5pF @ 5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.01V @ 1µA