AOM015V65X2
Número de pieza:
AOM015V65X2
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción:
650V SILICON CARBIDE MOSFET
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 96A (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4L
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4880 pF @ 400 V
- Vgs (Máx.) +15V, -5V
- Disipación de Potencia (Máx.) 312W (Tj)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 22mOhm @ 24A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 24mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 152 nC @ 15 V