AOM033V120X2Q
Número de pieza:
AOM033V120X2Q
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción:
1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 68A (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4L
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 300W (Tj)
- Vgs (Máx.) +18V, -8V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 43mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.8V @ 17.5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 104 nC @ 15 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2908 pF @ 800 V