AON5810
Número de pieza:
AON5810
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- FET Característica Logic Level Gate
- Potencia - Máx 1.6W
- Paquete / Carcasa 6-WFDFN Exposed Pad
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 7.7A
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-DFN-EP (2x5)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.7A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 13.1nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1360pF @ 10V