APTC60HM70BT3G
Número de pieza:
APTC60HM70BT3G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- FET Característica Logic Level Gate
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.9V @ 2.7mA
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 600V
- Potencia - Máx 250W
- Paquete / Carcasa SP3
- Proveedor Dispositivo Paquete SP3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 39A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 259nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 700pF @ 25V