APTC90H12T2G
Número de pieza:
APTC90H12T2G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 3mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 270nC @ 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 900V
- Potencia - Máx 250W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 120mOhm @ 26A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6800pF @ 100V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A
- Paquete / Carcasa SP2
- Proveedor Dispositivo Paquete SP2