APTM100H46FT3G
Número de pieza:
APTM100H46FT3G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 2.5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 260nC @ 10V
- Paquete / Carcasa SP3
- Proveedor Dispositivo Paquete SP3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1000V (1kV)
- Potencia - Máx 357W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 552mOhm @ 16A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6800pF @ 25V