APTM10DHM09T3G
Número de pieza:
APTM10DHM09T3G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 2.5mA
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Potencia - Máx 390W
- Paquete / Carcasa SP3
- Proveedor Dispositivo Paquete SP3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 139A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 350nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9875pF @ 25V