APTM50DHM65T3G
Número de pieza:
APTM50DHM65T3G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 500V
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 2.5mA
- Potencia - Máx 390W
- Paquete / Carcasa SP3
- Proveedor Dispositivo Paquete SP3
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 340nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10800pF @ 25V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 51A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 78mOhm @ 42A, 10V