APTSM120AM08CT6AG
Número de pieza:
APTSM120AM08CT6AG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 370A SP6
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Paquete / Carcasa SP6
- Proveedor Dispositivo Paquete SP6
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Configuración 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Potencia - Máx 2300W
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10mOhm @ 200A, 20V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 370A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 10mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1360nC @ 20V