ASZM040120T
Número de pieza:
ASZM040120T
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Descripción:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 340W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 68A (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Vgs (Máx.) +25V, -10V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-4
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 9.5mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 32mOhm @ 40A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 87 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2820 pF @ 1000 V