AUIRF7343Q
Número de pieza:
AUIRF7343Q
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOIC
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Configuración N and P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Potencia - Máx 2W
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 55V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.7A, 3.4A
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 36nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 740pF @ 25V