BSB044N08NN3GXUMA2

BSB044N08NN3GXUMA2

Número de pieza: BSB044N08NN3GXUMA2
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
  • Paquete / Carcasa DirectFET™ Isometric ST
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 73 nC @ 10 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 18A (Ta), 90A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 97µA
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5700 pF @ 40 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete MG-WDSON-2