BSB056N10NN3GXUMA3
Número de pieza:
BSB056N10NN3GXUMA3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
TRENCH >=100V
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 74 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Paquete / Carcasa DirectFET™ Isometric MN
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 100µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9A (Ta), 83A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5500 pF @ 50 V
- Proveedor Dispositivo Paquete MG-WDSON-5-3