BSB104N08NP3GXUMA3
Número de pieza:
BSB104N08NP3GXUMA3
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
TRENCH 40<-<100V
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13A (Ta), 50A (Tc)
- Paquete / Carcasa DirectFET™ Isometric MP
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 40µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2100 pF @ 40 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete MG-WDSON-2-6