BSC105N15LS5ATMA1
Número de pieza:
BSC105N15LS5ATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
TRENCH >=100V
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 40A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10.7A (Ta), 76A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 91µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3000 pF @ 75 V