BSF134N10NJ3GXUMA2
Número de pieza:
BSF134N10NJ3GXUMA2
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Paquete / Carcasa DirectFET™ Isometric ST
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.2W (Ta), 43W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2300 pF @ 50 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 40µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 30A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete MG-WDSON-2