BSG0813NDIATMA1
Número de pieza:
BSG0813NDIATMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA
- Temperatura de Operación -55°C ~ 155°C (TJ)
- Potencia - Máx 2.5W
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- FET Característica Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TISON-8
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1100pF @ 12V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19A, 33A