BSM300D12P4G101
Número de pieza:
BSM300D12P4G101
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 30000pF @ 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 291A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.8V @ 145.6mA
- Potencia - Máx 925W (Tc)