BSM600D12P3G001
Número de pieza:
BSM600D12P3G001
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 600A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.6V @ 182mA
- Potencia - Máx 2450W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 31000pF @ 10V