BSO615CGXUMA1
Número de pieza:
BSO615CGXUMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-DSO-8
- Potencia - Máx 2W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.1A (Ta), 2A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 380pF @ 25V, 460pF @ 25V