BSO615NGXUMA1

BSO615NGXUMA1

Número de pieza: BSO615NGXUMA1
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.6A
  • Proveedor Dispositivo Paquete PG-DSO-8
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 20µA
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 380pF @ 25V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20nC @ 10V
  • Potencia - Máx 2W (Ta)