BSP170IATMA1
Número de pieza:
BSP170IATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
BSP170IATMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Paquete / Carcasa TO-261-3
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 270µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 550 pF @ 30 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.8W (Ta), 5W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-SOT223-4-U01
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 260mOhm @ 1.9A, 10V