BSP170P
Número de pieza:
BSP170P
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
UMW
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Paquete / Carcasa TO-261-4, TO-261AA
- Temperatura de Operación -55°C ~ 155°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-223-4
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V