BSS131IXUSA1
Número de pieza:
BSS131IXUSA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
BSS131IXUSA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 240 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.8V @ 56µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 109mA (Ta), 121mA (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 14Ohm @ 120mA, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.6 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 74 pF @ 120 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 400mW (Ta), 440mW (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-SOT23-3-U03