BSS138AKQB-QZ
Número de pieza:
BSS138AKQB-QZ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 2.5V, 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 100mA, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 340mA (Ta)
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Paquete / Carcasa 3-XDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN1110D-3
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 315 pC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9 pF @ 30 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 490mW (Ta), 6.9W (Tc)