BSS83IXUSA1
Número de pieza:
BSS83IXUSA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
BSS83IXUSA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 300mA, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 34µA
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-SOT23-3-U03
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 320mA (Ta), 550mA (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.09 nC @ 4.5 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 72 pF @ 30 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 400mW (Ta), 1.04W (Tc)