BSS8402DWQ-7
Número de pieza:
BSS8402DWQ-7
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- FET Característica Logic Level Gate
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Potencia - Máx 200mW
- Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-363
- Configuración N and P-Channel Complementary
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V, 50V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 115mA, 130mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 13.5Ohm @ 500mA, 10V