BSZ105N04NSGATMA2
Número de pieza:
BSZ105N04NSGATMA2
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
TRENCH <= 40V
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1300 pF @ 20 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 20A, 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11A (Ta), 40A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 14µA
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 35W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TSDSON-8-1