BSZ215CHXTMA1
Número de pieza:
BSZ215CHXTMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Potencia - Máx 2.5W
- Configuración N and P-Channel Complementary
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TSDSON-8
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 419pF @ 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
- FET Característica Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 5.1A, 3.2A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.4V @ 110µA