BUK7Y3R1-80MX
Número de pieza:
BUK7Y3R1-80MX
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Disipación de Potencia (Máx.) 300W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 160A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Paquete / Carcasa SC-100, SOT-669
- Proveedor Dispositivo Paquete LFPAK56, Power-SO8
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 108 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 25A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6986 pF @ 40 V