BUK9MTT-65PBB,518
Número de pieza:
BUK9MTT-65PBB,518
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 65V 3.8A 20SO
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 1mA
- Proveedor Dispositivo Paquete 20-SO
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 535pF @ 25V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6.3nC @ 5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 65V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 90.4mOhm @ 3A, 10V
- Potencia - Máx 3.15W (Tc)