CAB008M12GM3
Número de pieza:
CAB008M12GM3
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Wolfspeed, Inc.
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 150A, 15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 46mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 472nC @ 15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13600pF @ 800V