CMS120N007WH

CMS120N007WH

Número de pieza: CMS120N007WH
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Bruckewell
Descripción: SIC N-MOSFET,1200V,160A,TO-247HC
Embalaje: Bulk
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 160A (Tc)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 750W (Tc)
  • Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 10mA
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 18V, 20V
  • Vgs (Máx.) -10V, +20V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 20V
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-247HC-4L
  • Paquete / Carcasa TO-247-4L