CMS120N080B
Número de pieza:
CMS120N080B
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Bruckewell
Descripción:
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-263-7
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Disipación de Potencia (Máx.) 188W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 10mA
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (Máx.) +20V, -5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 90mOhm @ 10A, 20V