CSD19538Q2R
Número de pieza:
CSD19538Q2R
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Texas Instruments
Descripción:
100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Paquete / Carcasa 6-WDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-WSON (2x2)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.8V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 454 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.6A (Ta), 13.1A (Tc)